真我GT2大师探索版：谁说好看的皮囊千篇一律？

真我GT大师系列一直是每年我最期待的机型之一。

这不仅仅因为它是realme真我品牌的旗舰，更是因为它每一次都会带来设计和工艺上的突破。至今我都清晰记得每一代大师版的独特的材质，以及它别具一格的命名。和每年市面上新上市的上百款新机相比，它显得是那么与众不同。

就在刚刚，真我GT2大师探索版来了。它是今年我们拿到的第四款骁龙8+旗舰，也是到目前为止，我认为今年最漂亮的旗舰手机，没有之一。

360°无死角设计

真我GT2大师探索版是一款几乎没有设计死角的机器，尤其是这台白色版本。

它在机身后盖的材质上运用的是大家熟悉的AG玻璃工艺，但其呈现出来的观感并非是普通的白色。而是一种接近于米白色，拥有独特质感的白色。用另一台真我GT2大师探索版的显微镜头查看了一下其机身表面，发现它的表面分布着极其细小的纹理。它似乎比一般的AG玻璃纹理更细密，带来良好手感的同时又能通过光线的折射，做到一种独特的观感。

真我GT2大师探索版这次还有一个硬箱版和黑色版本。前者很有特色，通过四种不同材质的运用和类似硬箱的设计语言，让这款手机有种户外装备的感觉。相比之下，黑色版本显得稍微主流了一些。对比下来，如果要我来推荐的话，三款颜色中我最推荐的还是白色AG玻璃版本。它更耐看，颜值也更高。

和市面上很多手机大大方方秀后背，羞羞答答藏正脸的做法不一样。真我GT2大师探索版这次的正面颜值也是非常高的。高屏占比的手机我们这些年见过不少，但现在很多高屏占比的手机都是通过曲面屏的方式来做到的。对于大多数安卓直屏来说，要么四边不等宽，看上去不和谐。要么就是边框能跑马，美感似乎还停留在三年前。总之就一个字：丑。

真我GT2大师探索版这次在正面屏幕边框控制上非常出色，其四边能够做到基本等宽。尤其是大家最在乎的下巴，其宽度几乎与iPhone 13 Pro相当。为了能够做到这么窄的黑边，GT2大师探索版这次还采用了新的听筒设计。听筒的位置非常隐蔽，几乎看不出对于边框的视觉干扰。由于其屏幕更大，加上超窄的边框，对比iPhone 它的“视觉屏占比”更高，整机看上去非常精致。

虽然真我GT2大师探索版这次用了直角边框的设计，但由于边框加入了一圈细腻的切边处理，握持的时候并不会割手。8.17mm机身算不上极致轻薄，要知道这可是在配备了5000mAh大电池和100W快充的前提下做到的。整体手感上，它比iPhone处理得更为得当。

我对这次大师版的设计挑不出什么问题，它就是一台非常漂亮的手机，也是一台真机比渲染图还要美的手机。这样的设计无疑是符合当前年轻市场的主流审美的，realme真我在拿捏用户需求这一块真没的说。

性能调度并不算激进

真我GT2大师探索版的漂亮机身下，配置和性能也是封顶级的。

作为下半年的旗舰产品，它用上了骁龙8+移动平台。和之前的realme真我旗舰一样，在性能释放层面真我GT2大师探索版并不激进。比如在大家最熟悉的安兔兔跑分层面，它的综合得分在106万上下。这个成绩相比上半年的真我GT2 Pro相比，提升了约6%左右。

在Geekbench5的成绩方面，真我GT2大师探索版这次相比之前我们数据库中的GT2 Pro有了不小的提升。其单核成绩达到了1337，多核成绩为4036。相比后者，其单核提升幅度达到了30%以上，多核成绩提升幅度约为10以上。这说明在新的台积电4nm工艺的加持下，realme真我对于CPU的大核性能释放更积极了一些。但横向来看，真我GT2大师探索版和同期的骁龙8+旗舰相比，性能释放是相对保守的。

值得注意的是，真我GT2大师探索版还加入了对LPDDR5x的支持。和当前旗舰手机普遍搭载的LPDDR5相比，LPDDR5x不仅带来了更大的带宽，也带来了更快的速度和更强的性能。更关键的是，由于采用了更先进的电路设计和动态电压频率，其功耗可降低约20%。

从测试的情况来看，真我GT2大师探索版在内存性能上提升最明显的还是写入速度。在读取性能大致相当的情况下，其顺序写入速度达到了1560MB/s，随机写入速度达到了389MB/s。相较于上一代旗舰，其顺序和随机写入性能分别提升了31%和40%。我们都知道，手机的读写速度和手机的运行流畅性、整体性能表现有直接的关系。真我GT2大师探索版在这方面的表现，还是很突出的。

以原神这样游戏为参照，在最高画质下游戏获得的平均帧数为53.5FPS。查看核心的运行情况可以看到，真我GT2大师探索版在对于超大核的调用上比骁龙8更为积极主动。但其超大核的最高频率也锁定在1996MHz以下。在7分钟之后，手机温度上升，超大核进一步将频率降到了1766MHz左右。相对来说，中核与大核的调用比较稳定一些。